美光於去年底在美國對聯電掀起訴訟戰，聯電也不甘示弱在大陸對美光展開反擊。大陸法院昨日判決結果指出，美光確實侵害聯電營業秘密。業界人士指出，聯電早在dram上有自主研發能力，且專利布局時間相當長遠，無須仰賴其他家公司就能自主生產。

事實上，美光與聯電的dram記憶胞架構明顯不同，美光主要採用直行式主動區（activearea，aa）設計，聯電則選擇交錯式aa設計，其中dram的記憶胞為技術關鍵核心，核心不同，也就代表研發技術不同。

再加上聯電早年就有dram生產能力，且擁有相當多專利，未來dram世代再度向上提升後，將會進入到mram的新藍海市場，因此聯電現在可望藉由舊有dram技術，將台灣記憶體領域向下扎根、向上生長。

業界人士認為，美光先前在美國對聯電、福建晉華控告侵害dram專利權，但從目前大陸判決結果顯示，聯電擁有邏輯及記憶體晶片的研發能力，美光可能是有意阻撓聯電和晉華合作，因為聯電有自主研發能力，擔心對其有重大影響，所以美光才會從台灣及美國一路提告，同時透過媒體試圖中傷聯電。

業界人士推測，美光對聯電及晉華提告，最終目標應是希望晉華未來能夠與美光在dram市場上攜手合作，也就是循華亞科模式，讓美光在大陸dram市場能夠獲取更大利益。

業內人說，美光本次對聯電的訴訟忽略的是聯電在晶圓代工領域已經有30多年的歷史，不論在邏輯、射頻（rf）及記憶體等專利佈局，因此美光這次嚴重輕忽聯電的技術布局實力，才會在中國大陸侵權案敗訴。<摘錄工商>