繼用於最先進製程的極紫外光光阻（euv pr）及超低介電材料（low-k）材料分析技術後，汎銓第三季設備陣容再升級，新增二次離子質譜儀 （sims），為sa表面分析的利器，偵測靈敏度達到ppb等級，能分析輕元素，亦能分辨同位素，用來建構三維的結構與成分。

汎銓的 tem擁有1~2 a的最佳空間解析能力，附加的成分分析分析工具eds╱eels，偵測極限約1000ppm，低於此偵測極限低濃度，則藉由sims分析工具來偵測製程的摻雜離子或污染物，偵測極限可達ppb水準。sims主要用於檢測半導體擴散製程中，參雜離子的濃度及深度，以瞭解離子分佈對元件電性的影響。在rd simulation 驗證、implanter機台，以及製程監控與故障分析，都需要此分析工具。

市場肯定汎銓過去在ma分析的精確度及穩定度具有超水準表現，對於再提供sims服務抱持很高的期待。基於「結合精準的空間解析及濃度解析，畢其功於一役」的想法，汎銓今年新增多部設備，待近期完成分析驗證後，將正式展開業務，半導體、led、iii-iv族等光電產業大廠，在製程摻雜離子（電性參數）及污染物的監控，可獲得精準快速且高品質的分析服務。

汎銓也會投入研發能量，針對sims分析技術的新製程試片與特殊需求，研發新工法，解決客戶在表面分析的各種難題，在先進製程研發路上順利推進。<摘錄經濟>