副總經理周學良表示，小於7奈米製程時，材料分析的挑戰在於樣品製備。以超低介電材料（low k）與7+奈米製程導入的euv光阻為例，受限於材料天性，以電子顯微鏡觀察微結構與成分時，容易因電子束照射導致樣品變形、倒塌，造成研發人員誤判。汎銓數年前即開發原子層沉積技術（ald），可以解決此一問題。

周學良表示，汎銓投入環繞閘極（gaa）架構分析工法研發，與多家客戶合作，材料分析品質深獲肯定。

營運長廖永順表示，邏輯si先進製程努力延續摩爾定律，由於5g概念興起與車用電子強勁需求，使摩爾定律演進過程中未開發的部分（more than moore）也受到關注與重視，gan與sic等第三類半導體，最受注目。

研發這些元件的製程過程需要材料分析，二次離子質譜儀（sims）分析也至關重要，著眼於此趨勢， 今年第3季汎銓引進sims分析，結合原有ma技術，提供高精準空間與濃度解析服務。廖永順說，為符合物聯網低功耗需求，晶圓廠積極開發新型記憶體，除了dram、sram、ssd、nand及nor flash外，mram、reram、pcm及3d xpoint等新產品也方興未艾，mram具有低耗能與非揮發性，因為多層且由數奈米厚度的不同材料堆疊，蝕刻後的材料分析相當關鍵，以汎銓的高品質tem影像與元素分析，可加速研發時程。

摩爾定律在先進製程已接近物理極限，藉由創新的封裝技術（如integrated fan-out）與2.5d和3d異質結合封裝，能使廣義的摩爾定律得以延續。汎銓以充沛的分析能量，持續培育專業人才，深化技術實力，提供fa、ma到sa一站式分析服務，持續添購高端分析設備，研發先進製程分析工法，成為國際一線大廠最佳的研發夥伴。(翁永全)<摘錄經濟>