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消息來源 |
| 一站式服務 半導體高階製程領航者 |
2021/1/20 |
公開資訊觀測站 |
| 對於電晶體層級的故障，精準定位是進行下一步材料分析最關鍵的一步。過往的做法是利用nano-prober確認電晶體電性，搭配電子束定位技術，如ebic、ebac、或ebirch，將故障位置縮小到只有50-100奈米，最後由高解析的tem確認故障狀況。
隨著製程微縮，nano-prober量測難度日益提高，為滿足第一線先進晶圓代工廠與ic設計公司的需求，汎銓科技領先引進同業唯一可支援至少到5奈米製程量測的nano-prober，並搭配與系統整合的ebic、ebac、以及ebirch功能，讓汎銓科技故障分析如虎添翼，提供先進製程客戶完整一站式的服務。
除了先進故障分析，第一線ic設計公司在先進製程電路修補也有需求，汎銓科技在去年第4季引進最新的fib電路修補設備centrios，可支援5奈米製程，搭配最新的離子束系統與整合的多化學氣體輸送設計，難度較高的晶背電路修補，大幅提升成功率與效率。
汎銓科技積極建置高階分析機台，靠著多年經驗累積與自我研發，以超群的故障分析技術工法領先同業。以先進製程晶片全平面╱局部精準去層（delayer）為例，無論大面積且複雜製程的應用處理器，或長條形驅動晶片，都難不倒汎銓經驗豐富的工程師，全平面去層品質更是傲視同業。
市場公認難度較高的先進鰭魚式電晶體（finfet）全去層，汎銓憑藉自行研發的特殊工法，有較高的成功率，獲得重要客戶認同。隨著積體電路進入超越摩爾定律時期，新型態異質整合封裝體與第三類半導體日新月異，因應此新趨勢，汎銓開發各式封裝體的開蓋（decap），與取三五族晶片技術，讓分析無縫接軌，成為半導體高階製程真正的領航者。<摘錄經濟-◎必◎富◎網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製> |
