受到晶圓代工廠產能吃緊及生產鏈長短料問題的影響，愛普*的ps ram及利基型dram出貨延宕，11月合併營收月減4.6％達5.58億元，與 去年同期相較仍大幅成長73.9％，累計前11個月合併營收60.25億元 ，較去年同期成長92.0％。而隨著生產鏈長短料問題逐步獲得紓解， 愛普出貨將逐步回升，對未來2～3年維持樂觀展望，明年第一季將淡 季轉旺。

包括4g數據機晶片及穿戴裝置微控制器（mcu）主流製程已微縮到 7奈米或5奈米，一般記憶體晶片尺寸較大，無法符合數據機或mcu等 邏輯晶片較小尺寸，愛普*因為可以為客戶進行客製化設計，縮小ps ram及利基型dram的接腳數及晶片尺寸，符合邏輯晶片小尺寸需求， 所以訂單能見度高，愛普*看好iot事業群明年出貨量會明顯優於今年 。

由於高效能運算（hpc）晶片搭載的高頻寬記憶體（hbm）價格昂貴 ，愛普*推出全新dram介面的異質整合高頻寬記憶體（vhm）技術，透 過wow先進封裝可提供更大的記憶體頻寬但更低的成本，下半年已進 入量產，今年相關dram晶圓銷售6億元目標可望順利達陣，未來2～3 年已有10個專案將陸續投產並帶來明顯營收貢獻。

隨著5g智慧型手機快速發展，多頻段特性需要採用更多射頻元件， 被動元件搭載數量同步大增，但手機要求輕薄短小，過多的射頻及被 動元件會造成高頻傳輸耗損、功耗明顯提高、散熱難度大增等問題。 而採用半導體製程的ipd因為利用矽基板蝕刻出高深寬比的溝槽式（ trench）結構，利用3d排列結構來解決射頻及被動元件過多帶來的負 面影響。

蘋果iphone採用ipd元件已逾5年，隨著5g手機未來幾年出貨量的快 速增加，ipd元件因為能與射頻元件進行阻抗匹配與去耦合等高頻電 路設計，明年將進入成長爆發階段，且未來往b5g發展後還會帶來更 強勁成長動能。

愛普*已經攜手力積電共同跨入ipd市場，並且展開與5g手機晶片廠 合作，預計明年就可帶來營收貢獻。<摘錄工商-◎必◎富◎網◎小編整理、同質網站未經授權請勿直接複製>