集邦科技指出,在首季價格明顯攀揚後,dr am顆粒的報價底部 可能將浮現,第二季價格下跌幅度應不如去年同期明顯,推估ddr 跌幅不會超過一○%,呈整理打底蓄勢向上的態勢。由於先前包括日 本爾必達、韓國三星均認為,第二季dram表現可望優於原先推估 跌幅,加上三星仍持續佈局flash產能進度,也應不致明顯衝擊 dram供需環境。 另外,根據外電報導,美林證券認為,美光(micron)將焦點 轉向nand型快閃記憶體的同時,也喪失了在dram的全球競爭 力,這是市場均忽略掉的一項事實。此舉對積極專注提昇成本競爭力 ,搶佔全球dram市佔的台灣dram廠商來言,或將為一項利多。 據了解,力晶首季毛利率因ddr2比重較少下,約在一五%至二○ %水準,而華亞科(3474 )、南亞科(2408)則因二、三 月ddr2合約價明顯調漲,單季毛利率分別有三五%、二○%以上 的表現空間,相對其他國際dram大廠,表現仍受期待。其中,華 亞科三月營收增長逾一 ○%,可望再度突破新高紀錄。 集邦科技指出,在三星(samsung)持續增加mobile ram、graphicmemory比重下,commo dit y dram的產出成長將受限;hynix規劃在淡季來臨之際, 進行dram設備遷往中國無錫廠,其第二季產出可能比前季減少一 ○%,至於mi cron則將重心轉往nand flash,c ommodity dr am比重在其產品組合中將進一步下降, 在有利控制dram產出的發展,尤其,dram廠積極轉進九○奈 米,良率問題也將牽動實際產出成長表現,進而限制第二季dram 產出成長空間。 華亞科十二吋一廠月投片量達六萬二千片以上,其中ddr2出貨已 達九○%以上,今年首季產出約成長九%,全年伴隨九○奈米技術推 進,整體產出約較去年成長七○%。 華亞科目前九○奈米製程約佔一○%,推估三月底將以每月增加一萬 片速度,以九○奈米投產,預計至今年九月將全數進入九○奈米製程 技術,規劃生產512mb ddr1、512mb ddr2及 1gb ddr2產品,全年位元成長將達七○%。 【摘錄工商c4版 |